- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录629 > MWI75-12T8T (IXYS)IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
MWI75-12T8T
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/50
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.75
typ.
5.0
3375
max.
5.25
Unit
k W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
CTI
M d
d S
d A
R pin-chip
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
comparative tracking index
mounting torque (M5)
creep distance on surface
strike distance through air
resistance pin to chip
I ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
-40
-40
2.7
10
7.5
2.5
125
150
125
2500
200
3.3
°C
°C
°C
V~
Nm
mm
mm
m W
R thCH
Weight
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
300
K/W
g
0.0 Equivalent Circuits for Simulation
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
IGBT
Diode
Conditions
T1 - T6
D1 - D6
T VJ = 125°C
T VJ = 150°C
min.
typ.
1.0
13.3
1.09
9.1
max.
Unit
V
m W
V
m W
R 1
R 2
R 3
R 4
t 1
t 2
t 3
t 4
R1
C1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
IGBT
0.056
0.071
0.123
0.100
0.0025
0.076
0.036
0.076
Diode
0.084
0.069
0.146
0.101
0.0025
0.076
0.036
0.076
T C = 25°C unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100910c
3-7
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